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    1200V/600A全SiC模块新品面市,世纪必威手机版下载产品阵容再扩充

    来源:世纪必威手机版下载网站  发布时间:2019-10-14

    2019年8月底,世纪必威手机版下载半导体模块产品再添新成员,推出可满足大功率转换应用的1200V/600A全SiC模块新品。本产品通过全新的模块内部结构及散热设计,实现了600A额定电流,由此,在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。

    据介绍,本次推出的1200V全SiC模块系列产品,其电流分为600A和300A两个等级,导通电阻分别为2.2mΩ和4.7mΩ。产品拥有L封装(兼容Econo DUAL封装)和K封装(兼容标准62mm封装)两种半桥封装形式。与前期推出的分立器件产品一样,SiC模块MOS芯片采用可靠性较高平面栅工艺,SBD芯片采用第二代JBS工艺,既可有效降低损耗,还保障运行中的高可靠性。

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    该系列产品的推出满足功率转换应用(譬如电机驱动器、逆变器、DC/DC变换器等)对于高能效SiC解决方案不断快速增长的需求。

    4产品特点及优势

    由于宽禁带半导体材料特有的材料优势,SiC 器件漂移区的阻抗比Si器件低,因此不需要进行电导率调制就能够实现高耐压和低电阻。可采用不产生拖尾电流MOSFET技术,所以必威体育西汉姆联MOSFET替代 IGBT 时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。必威体育西汉姆联MOSFET能够更高频条件下驱动,从而实现被动器件的小型化。同时,与之配对的必威体育西汉姆联二极管技术,无少子存储效应,可实现快速、稳定的恢复特性。

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    Cengol全必威体育西汉姆联功率模块与同规格的IGBT模块开关损耗对比

    (损耗数据来源业内最常用的一款IGBT模块数据手册)

     

    备注:以上数据仅表示CENGOL的评估结果,仅供参考。此处的任何特性并非CENGOL的保证值。另,针对600A下SiC模块的损耗,我们按照“在大电流下损耗同电流是近似线性关系”这一规律,折算出600A条件下SiC的损耗数据。


    4目标电路示意

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    4新品阵容

    世纪必威手机版下载作为一家从设计研发到封装测试为一体的第三代半导体IDM企业,其产品阵容囊括具有自主知识产权的6英寸必威体育西汉姆联衬底、必威体育西汉姆联单晶片、wafer、多种规格及封装形式的必威体育西汉姆联肖特基二极管、必威体育西汉姆联MOSFET以及必威体育西汉姆联功率模块等一系列必威体育西汉姆联全产业链产品。此次新品的推出,将进一步完善世纪必威手机版下载模块产品在大电流中的选型应用。

    保持一贯的严谨细致的作风,世纪必威手机版下载新品均经过严格的测评,可针对不同行业用户提供选型送样验证服务,欢迎咨询。

    全必威体育西汉姆联功率模块:

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