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    SiC单晶片
    4英寸导电型单晶片

    批量产品,禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

    SiC单晶片
    6英寸导电型单晶片

    小批量试产产品,禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

    SiC外延片
    4英寸N型SiC外延片

    禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

    SiC外延片
    6英寸N型SiC外延片

    禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

    SiC SBD
    CGC1S06506

    电压650V,电流6A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

    SiC SBD
    CGF1S06506

    电压650V,电流6A,TO-263封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

    SiC SBD
    CGC1S06508

    电压650V,电流8A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

    SiC SBD
    CGC1S06510

    电压650V,电流10A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

    SiC SBD
    CGF1S06510

    电压650V,电流10A,TO-263封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

    SiC SBD
    CGJ1S06510

    电压650V,电流10A,TO-220F封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

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